发明名称 |
电子零件用金属材料及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种具有低插拔性、低晶须性及高耐久性的电子零件用金属材料及其制造方法。本发明的电子零件用金属材料10具备基材11、A层14、及B层13:该A层14构成基材11的最表层,且由Sn、In或它们的合金所形成;及该B层13设置在基材11与A层14之间而构成中层,且由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或它们的合金所形成;且最表层(A层)14的厚度厚于0.2μm,中层(B层)13的厚度为0.001μm以上。 |
申请公布号 |
CN104685102A |
申请公布日期 |
2015.06.03 |
申请号 |
CN201280076224.X |
申请日期 |
2012.10.31 |
申请人 |
JX日矿日石金属株式会社 |
发明人 |
涉谷义孝;深町一彦;儿玉笃志 |
分类号 |
C23C30/00(2006.01)I;C22C5/06(2006.01)I;C22C5/08(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;C22C9/02(2006.01)I;C22C9/04(2006.01)I;C22C13/00(2006.01)I;C22C13/02(2006.01)I;C22C19/03(2006.01)I;C22C19/05(2006.01)I;C25D3/02(2006.01)I;C25D3/12(2006.01)I;C25D7/00(2006.01)I;H01B5/02(2006.01)I;H01R13/03(2006.01)I |
主分类号 |
C23C30/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
蔡晓菡;刘力 |
主权项 |
电子零件用金属材料,其具有低晶须性及高耐久性,且具备基材、A层、及B层,所述A层构成所述基材的最表层,且由Sn、In或它们的合金所形成;所述B层设置在所述基材与A层之间而构成中层,且由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或它们的合金所形成;所述最表层(A层)的厚度厚于0.2 μm,所述中层(B层)的厚度为0.001 μm以上。 |
地址 |
日本东京都 |