| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体装置及其制造方法。一示例装置可以包括：体半导体衬底；在衬底上形成的鳍；在衬底上形成的第一FinFET和第二FinFET，其中第一FinFET包括与所述鳍相交的第一栅堆叠以及位于第一栅堆叠侧壁上的第一栅侧墙，第二半导体器件包括与所述鳍相交的第二栅堆叠以及位于第二栅堆叠侧壁上的第二栅侧墙；在第一FinFET和第二FinFET之间形成与鳍相交的伪栅侧墙；自对准于伪栅侧墙所限定的空间的隔离部，所述隔离部将第一FinFET和第二FinFET电隔离；以及位于隔离部下方、与隔离部相接的绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN104681557A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201310627406.8 | 申请日期 | 2013.11.28 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：体半导体衬底；在衬底上形成的鳍；在衬底上形成的第一FinFET和第二FinFET，其中第一FinFET包括与所述鳍相交的第一栅堆叠以及位于第一栅堆叠侧壁上的第一栅侧墙，第二半导体器件包括与所述鳍相交的第二栅堆叠以及位于第二栅堆叠侧壁上的第二栅侧墙；在第一FinFET和第二FinFET之间形成与鳍相交的伪栅侧墙；自对准于伪栅侧墙所限定的空间的隔离部，所述隔离部将第一FinFET和第二FinFET电隔离；以及位于隔离部下方、与隔离部相接的绝缘层。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||