非易失性状态保持锁存器

摘要

电子电路使用锁存器，所述锁存器包括磁性隧道结(MTJ)结构及经布置以在所述MTJ结构中产生选择性状态的逻辑电路。因为所述选择性状态是以磁性方式维持，所以即使在从电子装置移除电力的情况下也可维持所述锁存器或电子电路的所述状态。

主权项

一种在电子电路中使用的磁性锁存器，所述锁存器包含：磁性隧道结MTJ结构；及经配置以在隐缩所述电子电路中的电力之前在所述MTJ结构中产生选定互斥状态的逻辑电路；所述逻辑电路是由始终接通保存信号结合输入保持信号来限定，所述逻辑电路包括：第一晶体管对，其耦合到所述MTJ结构；第二晶体管对，其耦合到所述MTJ结构；及选择电路，其耦合到所述第一晶体管对及所述第二晶体管对的每一栅极端子，其中所述选择电路经配置以响应于所述输入保持信号及所述保存信号而选择电压电平来经由所述第一晶体管对中的一者及所述第二晶体管对中的一者施加到所述MTJ结构，其中所述MTJ结构包含：固定磁性层；绝缘层，其在第一侧上耦合到所述固定磁性层；及自由磁性层，其具有电压可选极性且耦合到所述绝缘层的第二侧，以使得所述绝缘层位于所述固定磁性层与所述自由磁性层之间。