发明名称 3390nm带通红外滤光敏感元件
摘要 本实用新型公开了一种3390nm带通红外滤光敏感元件,包括以蓝宝石为原材料的基板,以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层,且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本实用新型所得到的一种3390nm带通红外滤光敏感元件,其中心波长3390±15nm,其在石化系统红外气体检测过程中,可大大的提高信噪比,提高测试精准度,适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件的峰值透过率Tp≥75%,带宽=60±10nm,400~14000 nm(除通带外),Tavg<0.5%。
申请公布号 CN204374469U 申请公布日期 2015.06.03
申请号 CN201420757549.0 申请日期 2014.12.07
申请人 杭州麦乐克电子科技有限公司 发明人 吕晶;王继平;胡伟琴
分类号 G02B5/20(2006.01)I 主分类号 G02B5/20(2006.01)I
代理机构 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 代理人 周豪靖
主权项 一种3390nm带通红外滤光敏感元件,包括以蓝宝石为原材料的基板(2),以Ge、SiO为第一镀膜层(1)和以Ge、SiO为第二镀膜层(3),且所述基板(2)设于第一镀膜层(1)与第二镀膜层(3)之间,其特征是所述第一镀膜层(1)由内向外依次排列包含有105nm厚度的Ge层、286nm厚度的SiO层、111nm厚度的Ge层、258nm厚度的SiO层、97nm厚度的Ge层、275nm厚度的SiO层、130nm厚度的Ge层、214nm厚度的SiO层、88nm厚度的Ge层、481nm厚度的SiO层、400nm厚度的Ge层、339nm厚度的SiO层、384nm厚度的Ge层、596nm厚度的SiO层、386nm厚度的Ge层、850nm厚度的SiO层、349nm厚度的Ge层、794nm厚度的SiO层、380nm厚度的Ge层、1022nm厚度的SiO层、494nm厚度的Ge层、1084nm厚度的SiO层、432nm厚度的Ge层、932nm厚度的SiO层、465nm厚度的Ge层、524nm厚度的SiO层;所述的第二镀膜层(3)由内向外依次排列包含有101nm厚度的Ge层、476nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、951nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、476nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、476nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、476nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、951nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、386nm厚度的SiO层、179nm厚度的Ge层、130nm厚度的SiO层。
地址 311188 浙江省杭州市钱江经济开发区兴国路503-2-101