光伏装置及其制造方法

摘要

本发明的主要目的在于提供一种光伏装置及其制造方法，能够降低有害性且提高效率、且使用了化合物半导体。本发明的光伏装置具有：含有化合物半导体的光电变换层、层叠在该光电变换层的表面的半导体层、配置在该半导体层的与光电变换层相反侧的接触层、层叠在该接触层的表面的电极，半导体层含有包含Al、In、P的第一晶体，接触层含有以Ge为主要成分的第二晶体，该光伏装置制造方法包括：在基板上气相生长含有化合物半导体的光电变换层的工序；在形成的光电变换层的表面气相生长具有含有Al、In、P的第一晶体的半导体层的工序；在形成的半导体层的上表面侧气相生长具有以Ge为主要成分的第二晶体的接触层的工序；在形成的接触层的表面形成电极的工序。

主权项

一种光伏装置，具有：光电变换层，包含化合物半导体；半导体层，被层叠在上述光电变换层的表面；接触层，被配置在上述半导体层的与上述光电变换层相反的一侧；以及电极，被层叠在上述接触层的表面，上述半导体层包含第一晶体，该第一晶体包含Al、In和P，上述接触层包含第二晶体，该第二晶体以Ge为主要成分。