| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括一第一叠层结构；第一叠层结构包括一第一叠层部、至少一第二叠层部及至少一第三叠层部；第一叠层部沿着一第一方向设置；第二叠层部连接第一叠层部并沿着一第二方向设置，第二方向垂直该第一方向；第三叠层部连接第一叠层部且沿着第一方向与第二叠层部交替排列；第三叠层部在第二方向上的宽度小于第二叠层部在第二方向上的宽度。 | ||
| 申请公布号 | CN104681559A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201310638285.7 | 申请日期 | 2013.12.02 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈士弘 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：一第一叠层结构，包括：一第一叠层部，沿着一第一方向设置；至少一第二叠层部，连接该第一叠层部并沿着一第二方向设置，该第二方向垂直该第一方向；及至少一第三叠层部，连接该第一叠层部且沿着该第一方向与该第二叠层部交替排列，其中该第三叠层部在该第二方向上的宽度小于该第二叠层部在该第二方向上的宽度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||