发明名称 |
一种增加PWM脉冲驱动能力的电路 |
摘要 |
一种增加PWM脉冲驱动能力的电路,包括接PWM脉冲驱动芯片输出端的PNP三极管Q3和NPN三极管Q2,PNP三极管Q3的基极和NPN三极管Q2的基极接PWM脉冲驱动芯片输出端,PNP三极管Q3的射极和NPN三极管Q2的射极相接并连接至MOS管Q1的栅极,PNP三极管Q3的集电极接地,NPN三极管Q2的集电极接VCC,MOS管Q1的源极接地,漏极接变压器的一次绕组,变压器的二次绕组一端接二极管D1的阳极,另一端通过电容C1接地,二极管D1的阴极接地,本发明采用推挽三极管的方式,增加了PWM信号的驱动能力,提升了MOS管的开通关闭速度,提升了效率。 |
申请公布号 |
CN104682674A |
申请公布日期 |
2015.06.03 |
申请号 |
CN201310629947.4 |
申请日期 |
2013.11.28 |
申请人 |
西安国龙竹业科技有限公司 |
发明人 |
沈建荣 |
分类号 |
H02M1/08(2006.01)I |
主分类号 |
H02M1/08(2006.01)I |
代理机构 |
西安智大知识产权代理事务所 61215 |
代理人 |
弋才富 |
主权项 |
一种增加PWM脉冲驱动能力的电路,其特征在于,包括接PWM脉冲驱动芯片输出端的PNP三极管Q3和NPN三极管Q2,PNP三极管Q3的基极和NPN三极管Q2的基极接PWM脉冲驱动芯片输出端,PNP三极管Q3的射极和NPN三极管Q2的射极相接并连接至MOS管Q1的栅极,PNP三极管Q3的集电极接地,NPN三极管Q2的集电极接VCC,MOS管Q1的源极接地,漏极接变压器的一次绕组,变压器的二次绕组一端接二极管D1的阳极,另一端通过电容C1接地,二极管D1的阴极接地。 |
地址 |
710075 陕西省西安市高新区科技路39号亚美大厦聚源阁1102室 |