发明名称 一种增加PWM脉冲驱动能力的电路
摘要 一种增加PWM脉冲驱动能力的电路,包括接PWM脉冲驱动芯片输出端的PNP三极管Q3和NPN三极管Q2,PNP三极管Q3的基极和NPN三极管Q2的基极接PWM脉冲驱动芯片输出端,PNP三极管Q3的射极和NPN三极管Q2的射极相接并连接至MOS管Q1的栅极,PNP三极管Q3的集电极接地,NPN三极管Q2的集电极接VCC,MOS管Q1的源极接地,漏极接变压器的一次绕组,变压器的二次绕组一端接二极管D1的阳极,另一端通过电容C1接地,二极管D1的阴极接地,本发明采用推挽三极管的方式,增加了PWM信号的驱动能力,提升了MOS管的开通关闭速度,提升了效率。
申请公布号 CN104682674A 申请公布日期 2015.06.03
申请号 CN201310629947.4 申请日期 2013.11.28
申请人 西安国龙竹业科技有限公司 发明人 沈建荣
分类号 H02M1/08(2006.01)I 主分类号 H02M1/08(2006.01)I
代理机构 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人 弋才富
主权项 一种增加PWM脉冲驱动能力的电路,其特征在于,包括接PWM脉冲驱动芯片输出端的PNP三极管Q3和NPN三极管Q2,PNP三极管Q3的基极和NPN三极管Q2的基极接PWM脉冲驱动芯片输出端,PNP三极管Q3的射极和NPN三极管Q2的射极相接并连接至MOS管Q1的栅极,PNP三极管Q3的集电极接地,NPN三极管Q2的集电极接VCC,MOS管Q1的源极接地,漏极接变压器的一次绕组,变压器的二次绕组一端接二极管D1的阳极,另一端通过电容C1接地,二极管D1的阴极接地。
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