| 发明名称 | 阵列基板、薄膜晶体管及制作方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、薄膜晶体管及制作方法、显示装置。所述阵列基板包括基板(1)，在基板(1)上同层设置的有源层(2)、源电极(3)、漏电极(4)、像素电极(5)；位于有源层(2)上的栅极绝缘层(6)；位于栅极绝缘层(6)上的栅极(7)；有源层(2)、源电极(3)、漏电极(4)、像素电极(5)、栅极绝缘层(6)和栅极(7)通过一次构图工艺形成，源电极(3)通过有源层(2)与漏电极(4)连接。本发明的阵列基板解决了现有技术阵列基板的结构较为复杂、制作工艺较多、生产效率低、成本较高等技术问题，可代替现有的阵列基板，应用于显示技术领域中。 | ||
| 申请公布号 | CN104681627A | 申请公布日期 | 2015.06.03 |
| 申请号 | CN201510105369.3 | 申请日期 | 2015.03.10 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 王珂 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种阵列基板，包括基板，其特征在于，还包括：在所述基板上同层设置的有源层、源电极、漏电极、像素电极；位于所述有源层上的栅极绝缘层；位于所述栅极绝缘层上的栅极；所述有源层、源电极、漏电极、像素电极、栅极绝缘层和栅极通过一次构图工艺形成，所述源电极通过所述有源层与所述漏电极连接。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||