发明名称 多芯片集成的多级重布线层
摘要 本申请公开了多芯片集成的多级重布线层。公开了一种多芯片封装和共用重布线层。在一个实施例中,形成第一和第二管芯,其中每个第一和第二管芯具有不同高度。将管芯放置在衬底上。研磨第一、第二或这两个管芯使得第一和第二管芯具有大约相同高度。利用单个工艺在同一时间在第一和第二管芯这两者上形成层,如重布线层,以及封装第一和第二管芯以及形成的层。
申请公布号 CN104681457A 申请公布日期 2015.06.03
申请号 CN201410476243.2 申请日期 2014.06.27
申请人 英特尔IP公司 发明人 E·格茨;B·麦姆勒;W·摩尔泽;R·马恩科波夫
分类号 H01L21/58(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I 主分类号 H01L21/58(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 何焜
主权项 一种方法,包括:形成第一和第二管芯,其中第一和第二管芯每个具有不同高度;将第一和第二管芯放置在衬底上;研磨第一和第二管芯中的至少一个,使得第一和第二管芯具有大约相同高度;利用单个工艺在同一时间在第一和第二管芯两者上形成层;以及封装第一和第二管芯以及形成的层。
地址 美国加利福尼亚州