闪存单元形成方法

摘要

一种闪存单元形成方法，包括：在半导体衬底上形成隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层上形成浮栅；在所述浮栅上形成ONO层；在所述ONO层上形成控制栅；对所述浮栅、ONO层和控制栅进行无氧退火处理；在所述浮栅、ONO层和控制栅的侧面以及所述控制栅的顶面形成保护层。所述形成方法在形成浮栅、ONO层和控制栅的叠层结构之后，进行无氧退火处理，修复所述叠层结构的刻蚀工艺所造成的表面晶格损伤，并在浮栅，ONO层和控制栅的侧边边缘形成薄膜保护层，以降低侧边因刻蚀过程所造成的粗糙度，此保护层也使得所述叠层结构在后续工艺过程中都不会受到氧化，ONO层的薄膜厚度均匀性也得到保证，从而提高最终形成的闪存单元的性能。

主权项

一种闪存单元形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层上形成浮栅；在所述浮栅上形成ONO层；在所述ONO层上形成控制栅；对所述浮栅、ONO层和控制栅进行无氧退火处理；在所述浮栅、ONO层和控制栅的侧面以及所述控制栅的顶面形成保护层。