封装RF功率晶体管器件和RF功率放大器

摘要

描述了一种封装射频功率晶体管器件，包括：(a)组件载体(254、256)；(b)管芯(110、210a)；(c)接地连接(232a)；(d)输出端引线(136、236a)，该输出端引线电连接到漏极(112d)；(e)谐振电路(122)，该谐振电路电插入到输出端引线与接地连接(232a)之间；以及(f)视频引线(134、234)，该视频引线电连接到谐振电路(122)。视频引线连接到解耦电容器(144、244)的第一接触点。接地连接到解耦电容器的第二接触点。相对于由组件载体(254、256)的底面横跨的基准平面，输出端引线和视频引线(234)被至少近似地布置在相同的高度水平。还描述了一种RF功率放大器，包括所述封装射频功率晶体管器件。

主权项

一种封装射频功率晶体管器件，具体在从DC到3GHz的频率范围内操作的功率放大器中使用，所述封装射频功率晶体管器件(100、200、300、400、500)包括：组件载体(254、256)，管芯(110、210a)，所述管芯(110、210a)包括具有源极(112s)、栅极(112g)和漏极(112d)的半导体晶体管，其中所述管芯(110、210a)安装在所述组件载体(254、256)处，接地连接(232a)，所述接地连接(232a)电连接到所述源极(112s)，输出端引线(136、236a)，所述输出端引线(136、236a)电连接到所述漏极(112d)，谐振电路(122)，所述谐振电路(122)电插入到所述漏极(112d)与所述接地连接(232a)之间，以及视频引线(134、234)，所述视频引线(134、234)电连接到所述谐振电路(122)，其中，所述视频引线(134、234)被配置为连接到解耦电容器(144、244)的第一接触点，以及所述接地连接(232a)被配置为连接到所述解耦电容器(144、244)的第二接触点。