用于太阳能电池的半导体基板以及太阳能电池

摘要

本发明提供了用于太阳能电池的半导体基板以及太阳能电池。一种太阳能电池包括p-型的多晶硅半导体基板、n-型的并且与该多晶硅半导体基板形成p-n结的发射区、连接至发射区的第一电极、以及连接至多晶硅半导体基板的第二电极，其中，该多晶硅半导体基板具有大体上为7.2×10¹⁵/cm³至3.5×10¹⁶/cm³的纯p-型杂质浓度。

主权项

一种具有0.7eV至0.76eV的带隙能量并且用于太阳能电池的由p‑型半导体制成的半导体基板，该半导体包括：p‑型的第一杂质；p‑型的第二杂质；以及n‑型的第三杂质，其中，所述半导体基板的纯p‑型杂质浓度是7.2×10¹⁵/cm³至3.5×10¹⁶/cm³以允许所述半导体基板具有12V至41V之间的击穿电压，并且通过从所述第一杂质的浓度和所述第二杂质的浓度之和中减去所述第三杂质的浓度来得到纯杂质浓度，其中，当所述纯杂质浓度是3.5×10¹⁶/cm³或者更少时，所述击穿电压是12V或者更多，并且其中，当所述纯杂质浓度为7.2×10¹⁵/cm³或者更多时，所述击穿电压是41V；所述半导体基板为p‑型多晶硅基板。