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<p>초음파와 전기 신호를 서로 변환하는 CMUT 셀(13)과, 복수의 CMUT 셀(13)이 표면에 형성된 반도체 기판(15)과, CMUT 셀(13)의 표면측에 설치되는 음향 렌즈(3)와, 반도체 기판(15)의 이면측에 형성되는 배킹 층(5)을 구비하는 초음파 탐촉자에 있어서, 배킹 층(5)을, 반도체 기판과 접하는 제1 배킹 층(27)과, 배킹 층(27)의 이면측에 형성되는 제2 배킹 층(29)으로 형성하고, 배킹 층(27)은 반도체 기판(15)의 판 두께에 기초해서 음향 임피던스가 설정되고, 배킹 층(29)은 배킹 층(27)을 투과한 초음파를 감쇠 가능한 감쇠재로 형성되고, 음향 임피던스는 배킹 층(27)의 음향 임피던스에 맞춰서 설정하고, 반사 에코의 다중 반사를 억제한다.</p> |
