光罩基板、光罩及其制造方法与半导体元件的制造方法

摘要

本发明之目的系关于一种可用以制作出ArF准分子雷射曝光用光罩的光罩基板，而可适用于半导体设计规则中DRAM半间距(hp)32nm以后之世代。一种光罩基板，系可用以制作出适用于波长200nm以下之曝光光线的光罩，其特征在于该光罩基板具备有：透光性基板；遮光膜，系形成于该透光性基板上且含有钼及矽；以及蚀刻遮罩膜，系接触并形成于该遮光膜上且含有铬；其中，该遮光膜从该透光性基板侧依序具备有遮光层与反射防止层，该遮光膜之钼含量为9原子%以上、40原子%以下，且该蚀刻遮罩膜之铬含量为45原子%以下。