用于接点与通孔之原子层清洗的方法及设备;METHODS AND APPARATUSES FOR ATOMIC LAYER CLEANING OF CONTACTS AND VIAS

摘要

所说明的系用于自已部分制作的半导体基板的电性接点介面移除污染物的清洗方法。该方法可包括将一含卤素物种引入一处理腔室中，以及在电性接点介面及/或其上的污染物上，形成包含来自该含卤素物种之卤素的一吸附受限层。该方法更可包括之后自该处理腔室移除未被吸附的含卤素物种，以及活化在该吸附受限层的卤素与存在于该电性接点介面的污染物之间的反应作用。在若干实施例中，被吸附到表面上的以及起反应作用的卤素可以是氟。亦说明于本文中的系具有用于实现此电性接点介面清洗技术之控制器的设备。