用以在基板蚀刻过程控制基板直流偏压、离子能量及角分布之方法及设备;METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING SUBSTRATE DC-BIAS AND ION ENERGY AND ANGULAR DISTRIBUTION DURING SUBSTRATE ETCHING

摘要

一可变电容设置在至偏压电极之射频(RF)电力传输路径内部、设置于至该偏压电极之该RF电力传送路径内部的阻抗匹配电路之外。以脉冲模式操作RF供电装置，以发送RF电力脉冲通过RF电力传输路径至该偏压电极。设定该可变电容的电容值以在每一RF电力脉冲期间，控制直流(DC)偏压在存在于该偏压电极上方之基板上增加的速度。DC偏压在基板上增加的速度控制电浆内部的离子能量分布及离子角分布，此电浆暴露于发自该基板的电磁场。