| 发明名称 |
半导体装置及半导体装置之制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI487075 |
申请公布日期 |
2015.06.01 |
| 申请号 |
TW101102143 |
申请日期 |
2012.01.19 |
| 申请人 |
富士通股份有限公司 |
发明人 |
酒井泰治;常信和清;今田忠紘;今泉延弘;冈本圭史郎 |
| 分类号 |
H01L23/48;H01L21/60;H01B17/64 |
主分类号 |
H01L23/48 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种半导体装置之制造方法，包括：藉由供应单一材料于密封层上或层叠材料于该密封层上的方式，形成连接导电膜于该密封层上，使得该连接导电膜之第一表面与该密封层直接接触，其中，该密封层将被设置在半导体元件之电极上方；在密封层上形成该连接导电膜之后，将一体地形成有该连接导电膜于其上之该密封层置放成使得该连接导电膜与该半导体元件之该电极和引线接触；以及在该密封层与该一体形成之连接导电膜被置放之后，藉由该密封层密封该半导体元件而透过该连接导电膜电性耦接该电极与该导线。
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| 地址 |
日本 |
