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经营范围
发明名称
离子植入方法以及离子植入装置
摘要
申请公布号
TWI486991
申请公布日期
2015.06.01
申请号
TW102129472
申请日期
2013.08.16
申请人
斯伊恩股份有限公司
发明人
二宫史郎;香川唯信;弓山敏男;舩井晃;黒田之
分类号
H01J37/244;H01J37/317;H01L21/265
主分类号
H01J37/244
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
一种离子植入方法,系把由离子源所产生之离子输送至晶圆,并以离子束照射晶圆而植入离子;其特征为包含:状态判断制程,系在朝晶圆植入离子的过程中,使用复数个能够检测出有放电可能性的事态现象之检测部,并根据检测出是否有放电可能性的事态现象以及该事态现象影响离子束之程度来判断前述离子束的状态;在前述状态判断制程中,作为前述复数个检测部中的其中一个,使用电源电压测定部来检测有放电可能性的事态现象,该电源电压测定部系测定机器所具有的电源的电压,该机器系构成从离子源至晶圆之射束线路。
地址
日本
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