发明名称 POSITIVE RESIST COMPOSITION, PATTERN FORMING METHOD USING THE COMPOSITION, AND COMPOUND USED IN THE COMPOSITION
摘要 통상 노광(드라이 노광), 액침 노광, 이중 노광에 있어서, 패턴 형상, 라인 에지 러프니스, 패턴 붕괴 성능, 감도, 해상력이 양호한 포지티브형 레지스트 조성물, 상기 포지티브형 레지스트 조성물을 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 포지티브형 레지스트 조성물에 사용되는 화합물로서, (A) 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물, (B) 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해도가 증대하는 수지 및 (C) 산의 작용에 의해 분해되어 산을 발생시키는 특정 구조의 화합물을 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물, 상기 포지티브형 레지스트 조성물을 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 포지티브형 레지스트 조성물에 사용되는 화합물을 제공한다.
申请公布号 KR101524571(B1) 申请公布日期 2015.06.01
申请号 KR20107003042 申请日期 2008.08.11
申请人 후지필름 가부시키가이샤 发明人 타카하시 히데노리;와다 켄지;카미무라 소우
分类号 G03F7/039;H01L21/027 主分类号 G03F7/039
代理机构 代理人
主权项
地址