发明名称 ETHANE IMPLANTATION WITH A DILLUTION GAS
摘要 <p>탄소-함유 종들을 주입하기 위해, 탄소를 함유하는 가스가 이온 챔버에서 이온화된다. 이 가스의 이온화는 전형적으로 다수의 이온화된 종들을 생성한다. 그러나 이들 최종 이온 종들 중 많은 수는 원하는 주입에 이롭지 않은데, 그들이 탄소가 아닌 원자만을 함유하기 때문이다. 이들 종들은 탄소-계 종들만을 남겨 놓고 주입 전에 제거되어야 한다. 그러나 원하는 종들의 전류가 낮을 수 있고, 그 때문에 기판에 원하는 양의 탄소를 주입하기 위해 여분의 에너지 또는 시간을 필요로 할 수 있다. 이것은 제2 가스의 사용을 통해 개선될 수 있다. 이 제2 가스는 이온 챔버에서 이온화될 1차 탄소-함유 가스를 희석하기 위해 사용된다. 이 희석 가스를 포함함으로써, 최종 이온 종들 중 더 많은 수가 탄소 주입에 이롭다. 달리 말해, 최종 이온 종들의 전류 분포가 제2 가스의 사용을 통해 바람직하게 변경될 수 있다.</p>
申请公布号 KR101524858(B1) 申请公布日期 2015.06.01
申请号 KR20107019482 申请日期 2009.02.11
申请人 发明人
分类号 H01L21/265 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
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