记忆体单元、制造方法及半导体装置;MEMORY CELLS, METHODS OF FABRICATION, AND SEMICONDUCTOR DEVICES

摘要

本发明揭示一种磁性单元，其包含接近于一磁性区域(例如，一自由区域)之一吸子材料。相较于一磁性材料之一可扩散物种与至少另一物种之间的一化学亲和力，该吸子材料经配制以具有对于该磁性材料之该可扩散物种之一较高化学亲和力，该磁性区域由该磁性材料形成。因此，该可扩散物种从该磁性材料移除至该吸子材料。该移除供应该贫化磁性材料之结晶。该结晶、贫化磁性材料实现一高隧道磁阻、高能障及高能障比。该磁性区域可形成为一连续磁性材料，因此实现一高交换劲度，且将该磁性区域定位于两个感应磁异向性之氧化物区域之间实现一高磁异向性强度。本发明亦揭示制造方法及半导体装置。