一种用于ＩＩＩ－Ｖ族氮化物生长的衬底及其制备方法

摘要

本发明提供一种用于Ⅲ-V族氮化物生长的衬底及其制造方法，所述制造方法包括以下步骤：1)提供一生长衬底，于所述生长衬底表面形成用于后续发光外延结构生长的缓冲层；2)于所述缓冲层表面形成半导体介质层；3)通过光刻工艺将所述半导体介质层刻蚀出间隔排列的多个半导体介质凸起，且露出各该半导体介质凸起之间的缓冲层。本发明既能保证生长发光外延结构的晶体品质，又能提高发光二极体的出光效率。本发明工艺简单，有利于降低制造成本，适用于工业生产。