半导体装置之制造方法及半导体装置;METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明系一种半导体装置之制造方法，其含有：准备步骤，其系准备具备由切割区域(112)划分之复数个封装区域(114)的元件搭载基板(108)；构装步骤，其系于元件搭载基板(108)之各封装区域(114)分别构装半导体晶片(116)；模制步骤，其系利用密封用环氧树脂组成物同时模制半导体晶片(116)；及单片化步骤，其系沿着切割区域(112)切割而将经模制之各半导体晶片(116)进行单片化，且上述密封用环氧树脂组成物含有：(A)环氧树脂、(B)硬化剂、(C)聚矽氧树脂、(D)无机填充剂、(E)硬化促进剂，上述(C)聚矽氧树脂为甲基苯基型热塑性聚矽氧树脂，系具有下述通式(a)、(b)、(c)、(d)所示之重复结构单位的支链状结构聚矽氧树脂。;(式中，＊表示向其他重复结构单位或同一重复结构单位中的Si原子键结，R 1a 、R 1b 、R 1c 、及R 1d 为甲基或苯基，该等彼此可相同亦可不同；键结于Si原子之苯基含量于1分子中为50质量%以上，键结于Si原子之OH基含量于1分子中未达0.5质量%)