| 主权项 |
一种沟渠式功率元件，包括：一基材，其界定有一晶胞区、一终端区、及一通道终止区，且该终端区位于该晶胞区与该通道终止区之间，该基材包括一基底及形成于该基底上的一半导体层，其中，该半导体层包含：一磊晶层，位于该基底上，且该磊晶层的导电型态与该基底的导电型态相同；一基体掺杂区，其抵接于该磊晶层，且该基体掺杂区位于该晶胞区内的半导体层并远离该基底，该基体掺杂区的导电型态相异于该磊晶层的导电型态；一源极/汲极区，其抵接于该基体掺杂区，并且该源极/汲极区位于该晶胞区内的半导体层并远离该基底；及一接触掺杂区，其抵接于该基体掺杂区且部分位于该基体掺杂区外，该接触掺杂区大致位于该源极/汲极区正投影于该基体掺杂区之部位外侧；一沟渠式闸极结构，其埋置于该晶胞区内的半导体层，且该沟渠式闸极结构穿过该源极/汲极区与该基体掺杂区并延伸埋设于该磊晶层；一沟渠式源极结构，其埋置于该晶胞区内的半导体层且与该沟渠式闸极结构呈彼此间隔设置，该沟渠式源极结构穿过该基体掺杂区并延伸埋设于该磊晶层，且该沟渠式源极结构远离该基底的部位抵接于该接触掺杂区，而该沟渠式源极结构埋设于该磊晶层的深度大于该沟渠式闸极结构埋设于该磊晶层的深度；以及一接触塞，其至少部分容置于该源极/汲极区与该接触掺杂区所包围的空间，且该接触塞抵接于该源极/汲极区以及该接触掺杂区；
其中，该源极/汲极区相对于该接触塞之电位等同于该基体掺杂区与该沟渠式源极结构各透过该接触掺杂区而相对于该接触塞之电位。 |
