互补式金氧半导体元件的制造方法

主权项

一种互补式金氧半导体元件的制造方法，包括：在一基底中形成一隔离结构，以定义出一第一型金氧半导体区与一第二型金氧半导体区，其中该第一型金氧半导体区已形成有一第一闸极结构、一第一偏移间隙壁与一第一淡掺杂区，该第二型金氧半导体区已形成有一第二闸极结构、一第二偏移间隙壁与一第二淡掺杂区，且该第一闸极结构与该第二闸极结构上形成有一罩幕层；移除该第二闸极结构两侧之部分该基底，以形成一沟渠；在该沟渠中填入一磊晶材料层；在该第一闸极结构与该第二闸极结构侧壁分别形成一第一间隙壁与一第二间隙壁，以分别覆盖该第一偏移间隙壁与该第二偏移间隙壁；进行一掺杂制程，以在该第一间隙壁与该第二间隙壁两侧之该基底中分别形成一第一掺杂区与一第二掺杂区；移除部分该第一间隙壁而暴露出部分该第一淡掺杂区表面，以形成一薄化第一间隙壁；形成一矽覆盖层，以覆盖所暴露出的部分该第一淡掺杂区、该第一掺杂区与该第二掺杂区；移除该罩幕层；以及在该第一闸极结构、该第二闸极结构与该矽覆盖层上形成一金属矽化物。