半导体装置及其制造方法

主权项

一种半导体装置，包括：包括铟、镓、和锌的氧化物半导体层；包括铝的第一导电层；在该第一导电层上的包括高熔点金属材料的第二导电层；以及包括氧化铝的阻挡层，其中，该阻挡层在该第一导电层的边缘部分中形成，以及其中，该氧化物半导体层被设置为与该第二导电层和该阻挡层接触。