浅沟槽隔离构造及制造方法

主权项

一种半导体装置，包括：一基板；及复数个第一堆叠构造与复数个第二堆叠构造，配置于该基板上方，该些第一堆叠构造比该些第二堆叠构造被配置得更密集，而该些第一堆叠构造与该些第二堆叠构造系由一间隙所分离，其中，该基板包括：一第一沟槽，在该些第一堆叠构造之间；一第二沟槽，在该些第二堆叠构造之间；及一第三沟槽，于该间隙中，及该第一沟槽之一深度小于该第三沟槽之一深度；及一边界，在该第一沟槽之一部分与该第三沟槽之一部分之间，其中该边界系凹向内至一位于该些第一堆叠构造之间之该些第一堆叠构造之一中间区域，以形成一凹部。