控制半导体晶片封装交互作用的应力补偿填充型态

主权项

一种半导体晶片，包括：接合垫；在该接合垫下方的金属化层，其中，该金属化层包括在该接合垫下方的接合垫区域和围绕该接合垫区域的空旷区域；以及在该金属化层中的复数个导电设备特征，该复数个导电设备特征包括在该接合垫区域中的第一组导电设备特征和在该空旷区域中的第二组导电设备特征，其中，该第一组具有第一特征分布密度且该第二组具有小于该第一特征分布密度的第二特征分布密度，该复数个导电设备特征的至少一部分为在该半导体晶片的电气操作中不传递电流的虚设设备特征，以及该复数个虚设设备特征的至少一个为没有电连接到该半导体晶片的任何其他虚设设备特征的金属塞。