金属氧化物半导体结构及其制造方法

主权项

一种金属氧化物半导体结构，其具有：一基板；一闸电极，其系沉积于该基板上方之一金属导体，用以与一闸极驱动信号耦接；一闸绝缘层，其系沉积于该闸电极及该基板上方之一绝缘层；一IGZO层，其系沉积于该闸绝缘层上方之一铟镓锡氧化物层，用以充作一通道；一源电极，其系沉积于该IGZO层一侧之一金属导体，用以与一源极驱动信号耦接；一汲电极，其系沉积于该IGZO层另一侧之一金属导体，用以与一画素电极耦接；一第一钝化层，其系沉积于该源电极、该IGZO层、及该汲电极上方之一第一矽化合物层；一第二钝化层，其系沉积于该第一钝化层上方之一第二矽化合物层；以及一树脂层，其系沉积于该源电极、该第二钝化层、及该汲电极上方之一不透明树脂层。