| 主权项 |
一种n-掺质前驱物的用途，用以掺杂有机半导体材料，于电子或光电组件中做为阻挡层、做为电荷注入层、做为电极材料、做为储存材料或是做为半导体层本身，该前驱物系选自下列分子式1-3c：
其中L系为一种较佳为由H、CR3、OR、NR2及SiR3所选出的有机、无机或有机金属离去基，每一个R系独立地选自H、烷基及芳基；A-B、C-D及E-F各自独立地为一或更多sp3-或sp2-杂交碳原子的占位；在结构1中，X及Y各自独立地为S、O、或NR0或PR0，其中R0为C1至C10-烷基或C6至C12-芳基及X为NR02、PR02、OR0或SR0；在结构2及2a中，X及Z各自独立地为S、O、NR0或PR0及Y为N或P；在结构3、3a、3b及3c中，X、Y及Z系独立地为N或P；
n为自0至2的整数；及m为自0至2的整数。 |
