| 摘要 |
반도체 디바이스들을 본딩하기 위한 연결 구조물 및 이의 형성 방법이 제공된다. 본딩 구조물은 alpad 구조물(즉, 두꺼운 알루미늄 함유 연결 패드), 및 적어도 금속전층(pre-metal layer) 및 장벽층을 포함하는 알루미늄 함유 연결 패드 밑의 서브구조물을 포함한다. 금속전층은 고밀도 물질층이고 장벽층보다 큰 밀도를 포함하고 낮은 표면 조도 막이다. 고밀도 전금속층은 플라즈마 손상이 밑에 놓여 있는 유전체를 충전하지 못하게 하거나 아래의 반도체 디바이스를 파괴하지 못하게 한다. |
