发明名称 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND NON-TRANSITORY COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM
摘要 <p>본 발명은 박막을 형성할 때, 기판 면간, 기판 면내에서 균일한 막 두께, 막질을 실현한다.외부 반응관 및 상기 외부 반응관 내에 설치된 내부 반응관을 포함하는 처리 용기로서, 적어도 상기 외부 반응관의 상단부의 내면 및 상기 내부 반응관의 상단부의 내면은 평탄한 구조를 가지고, 상기 내부 반응관은 상기 내부 반응관의 내부에서 복수의 기판을 배열시켜서 지지하는 지지구의 상단면의 적어도 일부를 피복하도록 구성되고, 상기 내부 반응관의 내부와 상기 외부 반응관의 내부를 연통시키는 연통부가 상기 내부 반응관의 상기 복수의 기판이 배열되는 기판 배열 영역을 수평하게 둘러싸는 영역으로부터벗어난 부분에 설치된 상기 처리 용기 내에 상기 지지구에 의해 지지된 상기 복수의 기판을 수용한 상태에서 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하고, 상기 처리 가스를 상기 처리 용기 내에 봉입(封入)하는 공정;; 처리 가스를 처리 용기 내에 봉입한 상태를 유지하는 공정; 및 처리 용기 내의 처리 가스를 연통부 및 내부 반응관과 외부 반응관 사이의 공간을 개재하여 배기하는 공정;을 포함하는 사이클을 1회 이상 수행한다.</p>
申请公布号 KR101524519(B1) 申请公布日期 2015.06.01
申请号 KR20130112583 申请日期 2013.09.23
申请人 发明人
分类号 H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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