蚀刻装置、蚀刻方法及基板载置机构

摘要

蚀刻基板之含矽膜的蚀刻装置，系具备有：腔室、设于腔室内之基板载置机构、将含氟、氢及氮之蚀刻气体供给至腔室内之气体供给机构以及排气机构。基板载置机构系具有载置台、将载置台之载置面温度调整至50℃以下之温度的温度调整机构以及将载置台之载置面以外之面的至少一部份加热至60~100℃之加热构件，载置台之至少载置面系形成有树脂制披覆层。