| 主权项 |
一种包含电晶体的半导体装置，该电晶体包含：第一氧化物半导体层；第二氧化物半导体层，在该第一氧化物半导体层之上；源极电极，在该第二氧化物半导体层之上；以及汲极电极，在该第二氧化物半导体层之上，其中，该第一氧化物半导体层包括通道形成区，其中，该第二氧化物半导体层包括与该源极电极及该汲极电极的之一相接触的第一区域，其中，该第二氧化物半导体层包括与该通道形成区重叠的第二区域，其中，该第一区域具有第一导电率，其中，该第二区域具有第二导电率，其中，该通道形成区具有第三导电率，其中，该第一导电率高于该第三导电率，且其中，该第三导电率高于该第二导电率。
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