记忆电路与字元线控制电路

主权项

一种记忆电路，包括：一第一PMOS电晶体，耦接于一第一电压端与一第一节点之间；一第二PMOS电晶体，耦接于该第一电压端与一第二节点之间；一第一NMOS电晶体，耦接于一第三节点与一第二电压端之间；一第二NMOS电晶体，耦接于一第四节点与该第二电压端之间；以及一记忆单元阵列，包括多个记忆单元，其中该等记忆单元之至少一个包含一第一反相器及一第二反相器，其中该第一反相器之一正电源端耦接至该第一节点，该第一反相器之一负电源端耦接至该第三节点，该第二反相器之一正电源端耦接至该第二节点，且该第二反相器之一负电源端耦接至该第四节点；其中该记忆电路更包括可控制该第一PMOS电晶体、该第二PMOS电晶体、该第一NMOS电晶体、以及该第二NMOS电晶体之闸极电压的一控制电路，当该记忆电路于一节能模式运作时，该控制电路控制该等闸极电压以启动该第一PMOS电晶体、关闭该第二PMOS电晶体、关闭该第一NMOS电晶体、并启动该第二NMOS电晶体，以将该第一反相器之一输出电压提升至一逻辑高电压，并将该第二反相器之一输出电压下拉至一逻辑低电压。