| 发明名称 |
电阻式记忆体装置及其写入方法;RESISTIVE MEMORY APPARATUS AND WRITE-IN METHOD THEREOF |
| 摘要 |
电阻式记忆体装置及其写入方法，其中，电阻式记忆体装置包括记忆胞阵列以及记忆体控制器。记忆体控制器在设定期间及重置期间的其一提供未连接至选中电阻式记忆胞的未选中位元线第一位元线电压及未选中字线第一字线电压，其中，第一位元线电压等于写入电压VW乘以(n-1)/n，第一字线电压等于VW×1/n。记忆体控制器在设定期间及重置期间的另一提供未连接至选中电阻式记忆胞的未选中位元线第二位元线电压，并提供未连接至该选中电阻式记忆胞的未选中字线第二字线电压，其中，第二位元线电压等于VW×1/n，第二字线电压等于VW×(n-1)/n。 |
| 申请公布号 |
TW201521025 |
申请公布日期 |
2015.06.01 |
| 申请号 |
TW102143042 |
申请日期 |
2013.11.26 |
| 申请人 |
华邦电子股份有限公司 WINBOND ELECTRONICS CORP. |
发明人 |
侯拓宏 HOU, TUO HUNG;徐崇威 HSU, CHUNG WEI;陈玫瑾 CHEN, MEI CHIN |
| 分类号 |
G11C13/00(2006.01);H01L21/8239(2006.01) |
主分类号 |
G11C13/00(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文叶璟宗 |
| 主权项 |
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| 地址 |
台中市大雅区科雅一路8号 TW |
