发明名称 |
半导体装置及资料读出方法;SEMICONDUCTOR APPARATUS AND DATA READING METHOD |
摘要 |
本发明旨在提供一种半导体装置及资料读出方法,可以较少之元件进行来自记忆体阵列的资料读出。 其中,记忆体单元30中,沿行方向配置连接复数记忆体单元之复数列位元线对。资料闩锁电路70-1,连接沿行方向配置的构成位元线对0之位元线BL0及构成位元线对1之位元线BL1。预充电电路40-1,切断对应行位址信号的位元线对的预充电,对于其他部分则继续进行预充电。资料闩锁电路70-1,根据位元线BL0与位元线BL1的电位,输出读出资料。 |
申请公布号 |
TW201521024 |
申请公布日期 |
2015.06.01 |
申请号 |
TW103124318 |
申请日期 |
2014.07.15 |
申请人 |
瑞萨电子股份有限公司 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION |
发明人 |
石井雄一郎 ISHII, YUICHIRO;米山敦夫 YONEYAMA, ATSUO;多田宣介 TADA, NOBUSUKE |
分类号 |
G11C11/412(2006.01);G11C11/413(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/412(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
周良谋周良吉 |
主权项 |
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地址 |
日本 JP |