发明名称 处理装置、离子植入装置及离子植入方法
摘要
申请公布号 TWI486993 申请公布日期 2015.06.01
申请号 TW102147124 申请日期 2013.12.19
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 汪绍华;陈明德;李圣伟
分类号 H01J37/317 主分类号 H01J37/317
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项 一种处理装置,包括:一末端站,系支撑一工件;一离子束产生器,系产生一离子束朝向该末端站;以及一扫描装置,系以一横向扫描方向扫描该离子束,其中,该扫描装置系设置于朝向该末端站之该离子束之一第一路径之中以及朝向该末端站之该离子束之一第二路径之外。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号