| 主权项 |
一种制造电子装置之制程，系包含：(a)提供电子装置基板；(b)于该电子装置基板上沉积有机金属寡聚物之层；以及，(c)固化该有机金属寡聚物以于该电子装置基板上形成金属氧化物层；其中，该有机金属寡聚物系选自：(i)包含具金属之侧基的寡聚物，该寡聚物包含作为聚合单位之一种或多种式(1)之单体：
其中，R1系H或CH3；M系第3族至第14族金属；L系配位子；以及，n系指配位子之数目，且系1至4之整数；(ii)式(2)之寡聚物：其中，R2=(C1-C6)烷基；M1系第3族至第14族金属；R3=(C2-C6)伸烷基-X-或(C2-C6)亚烷基-X-；每一X系独立选自O及S；z系1至5之整数；L1系配位子；m系指配位子之数目，且系1至4之整数；以及，p系2至25之整数；以及，(iii)其混合物。 |
