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经营范围
发明名称
用于非平面半导体装置架构的精密电阻器
摘要
申请公布号
TWI487116
申请公布日期
2015.06.01
申请号
TW102131802
申请日期
2013.09.04
申请人
英特尔股份有限公司
发明人
叶正亚;泛德佛 彼德;贺菲斯 瓦力德;简嘉弘;蔡 柯堤斯;朴朱东
分类号
H01L29/78;H01L21/336
主分类号
H01L29/78
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
一种半导体结构,包含:第一及第二半导体鳍,配置于基板上面;电阻器结构,配置于该第一半导体鳍上面但未在该第二半导体鳍上面;以及电晶体结构,形成自该第二半导体鳍但非自该第一半导体鳍。
地址
美国
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