发明名称 用于非平面半导体装置架构的精密电阻器
摘要
申请公布号 TWI487116 申请公布日期 2015.06.01
申请号 TW102131802 申请日期 2013.09.04
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 叶正亚;泛德佛 彼德;贺菲斯 瓦力德;简嘉弘;蔡 柯堤斯;朴朱东
分类号 H01L29/78;H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体结构,包含:第一及第二半导体鳍,配置于基板上面;电阻器结构,配置于该第一半导体鳍上面但未在该第二半导体鳍上面;以及电晶体结构,形成自该第二半导体鳍但非自该第一半导体鳍。
地址 美国