半导体装置及其制造方法,申请号TW101148337-传众专利搜索

发明名称	半导体装置及其制造方法
摘要
申请公布号	TWI487113	申请公布日期	2015.06.01
申请号	TW101148337	申请日期	2012.12.19
申请人	英特尔股份有限公司	发明人	瑞奇曼第　威利;雷　凡;皮拉瑞斯提　拉维;卡瓦莱罗斯　杰克;乔　罗伯特;宋承宏
分类号	H01L29/78;H01L21/336	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人	林志刚台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项	一种半导体装置，包括：复数垂直堆叠的奈米布线，配置在基底上，其中，该复数奈米布线中之一是主动奈米布线以及该复数奈米布线中之一是非主动奈米布线；闸极结构，缠绕该主动奈米布线，界定该装置的通道区；以及源极区和汲极区，在该通道区的相对侧上。
地址	美国