发明名称 | 用以形成层间连接件于三维堆叠积体电路装置中的方法 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI487066 | 申请公布日期 | 2015.06.01 |
申请号 | TW101137599 | 申请日期 | 2012.10.12 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 施彦豪;陈士弘;叶腾豪;胡志玮;蔡丰年;林烙跃 |
分类号 | H01L21/768;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L21/768 |
代理机构 | 代理人 | 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼 | |
主权项 | 一种方法,用以使用于一积体电路装置,包括一由复数个介电/导电层形成之堆叠,以形成复数个层间连接件,该些层间连接件自该积体电路装置之一表面延伸至该些导电层,该方法包括:建立分隔之复数个接触开口于该积体电路装置之一接触区域内,而贯穿一介电层并以一介电层材料分隔各该接触开口,该些接触开口位于一导电层上,用于W个该些导电层之各者;该些接触开口之该建立步骤包括向下建立一第一接触开口至一第一导电层;利用一组N个蚀刻遮罩,2N-1系小于W且2N系大于或等于W,该些蚀刻遮罩具有复数个遮罩区及分隔之复数个开放蚀刻区,该些开放蚀刻区对应于选择之该些接触开口;利用N个该些蚀刻遮罩来蚀刻由该些介电/导电层形成之该堆叠,以仅贯穿W-1个该些接触开口而建立复数个延伸接触开口,该些延伸接触开口延伸至W-1个该些导电层;该蚀刻步骤包括利用各该蚀刻遮罩来透过至少半数之该些接触开口而蚀刻2n-1个该些导电层,n=1、2…N;该蚀刻步骤系执行,使得该些接触开口系以该些蚀刻遮罩的不同组合之该些开放蚀刻区来进行蚀刻;以及形成该些层间连接件于该第一接触开口内及该些延伸接触开口内,以电性连接于各该导电层。 | ||
地址 | 新竹县科学工业园区力行路16号 |