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发明名称
低功率下之自我保持非双极直流电浆;SELF-SUSTAINED NON-AMBIPOLAR DIRECT CURRENT (DC) PLASMA AT LOW POWER
摘要
本发明揭露一种处理系统,其具有可激发电浆以产生电子束的电子束来源腔室、及可容纳基板以及激发电浆以产生离子束的离子束来源腔室。处理系统亦包含介电质注射器,该介电质注射器将电子束来源腔室耦接至离子束来源腔室,并同时注入电子束与离子束且以相反方向推动电子束与离子束。介于电子束来源腔室与离子束来源腔室之间的电压电位梯度会产生足以在电浆对基板进行处理时维持电子束与离子束的能量场,俾能终止初始施加至该处理系统以产生电子束的射频(RF)功率,因而改善该处理系统的功率效率。
申请公布号
TW201521069
申请公布日期
2015.06.01
申请号
TW103127518
申请日期
2014.08.11
申请人
东京威力科创股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人
陈智颖 CHEN, ZHIYING;方克 梅瑞特 FUNK, MERRITT;陈 立 CHEN, LEE
分类号
H01J37/04(2006.01)
主分类号
H01J37/04(2006.01)
代理机构
代理人
周良谋周良吉
主权项
地址
日本 JP
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