发明名称 Semiconductor Substrate Surface Etching Device, and Method of Manufacturing Semiconductor Substrate Whereon Uneven Shapes Are Formed Upon Surface Using Said Device
摘要 <p>반도체 기판과 발열반응을 일으키는 가스를 에칭가스로서 이용하면서, 양산화에 대응가능한 반도체 기판 표면을 에칭하는 장치를 제공하는 것을 과제로 한다. 로드록실과, 대기압 이하로 감압가능한 에칭실과, 언로드록실과, 상기 로드록실로부터 상기 에칭실을 거쳐 상기 언로드록실까지 반도체 기판을 수용한 트레이를 반송하기 위한 반송기구와, 상기 반도체 기판 및/또는 트레이를 냉각하는 냉각기구를 가지는 반도체 기판의 표면 에칭 장치로서, 상기 에칭실에서 상기 트레이에 수용된 반도체 기판 표면을 향하여 에칭가스를 분사하는 복수의 노즐을 가지는 표면 에칭 장치를 제공한다.</p>
申请公布号 KR101525234(B1) 申请公布日期 2015.06.01
申请号 KR20137007986 申请日期 2012.02.22
申请人 发明人
分类号 H01L21/306;H01L21/677 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人
主权项
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