| 发明名称 |
薄膜电晶体之半导体层用氧化物薄膜，薄膜电晶体及显示装置 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI486466 |
申请公布日期 |
2015.06.01 |
| 申请号 |
TW101145272 |
申请日期 |
2012.12.03 |
| 申请人 |
神户制钢所股份有限公司 |
发明人 |
广濑研太;钉宫敏洋;前田刚彰;田尾博昭 |
| 分类号 |
C23C14/08;H01L21/363;H01L29/786;C23C16/42 |
主分类号 |
C23C14/08 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
| 主权项 |
一种薄膜电晶体之半导体层用氧化物薄膜，属于薄膜电晶体的半导体层用氧化物薄膜，其特征为：前述氧化物薄膜含有In、Ga及Zn，且当以X射线光电子能谱法测定从前述氧化物薄膜的最表面至膜厚方向7nm为止之膜表层部、以及从前述最表面至膜厚方向10nm~15nm之膜内部时，前述膜表层部的In含有量(原子%)之平均值，相对于前述膜内部的In含有量(原子%)之平均值，系为1.5倍以下。 |
| 地址 |
日本 |
