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经营范围
发明名称
半导体装置和其制造方法
摘要
申请公布号
TWI487031
申请公布日期
2015.06.01
申请号
TW097130672
申请日期
2008.08.12
申请人
半导体能源研究所股份有限公司
发明人
山崎舜平;古野诚
分类号
H01L21/336;H01L29/786
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
一种半导体装置,包含:一基板;在该基板上的包括一闸极电极的第一导电层;在该闸极电极上的一闸极绝缘层;在该闸极绝缘层上的包括一通道形成区域的一微晶半导体层;在该微晶半导体层上的一非晶半导体层;在该非晶半导体层上的一保护膜;以及在该非晶半导体层及该保护膜上的一对半导体层,其中,该微晶半导体层包含受体杂质元素,以及其中,该微晶半导体层的全部与该闸极电极重叠。
地址
日本
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