发明名称 半导体装置和其制造方法
摘要
申请公布号 TWI487031 申请公布日期 2015.06.01
申请号 TW097130672 申请日期 2008.08.12
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 山崎舜平;古野诚
分类号 H01L21/336;H01L29/786 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体装置,包含:一基板;在该基板上的包括一闸极电极的第一导电层;在该闸极电极上的一闸极绝缘层;在该闸极绝缘层上的包括一通道形成区域的一微晶半导体层;在该微晶半导体层上的一非晶半导体层;在该非晶半导体层上的一保护膜;以及在该非晶半导体层及该保护膜上的一对半导体层,其中,该微晶半导体层包含受体杂质元素,以及其中,该微晶半导体层的全部与该闸极电极重叠。
地址 日本