于离子植入制程中使用同位素加浓水平量之掺杂剂气体组成物之方法

主权项

一种使用加浓的掺杂剂气体之方法，其包含：在足以维持离子源稳定性之流速下，导入该加浓的掺杂剂气体，其中该加浓的掺杂剂气体具有比天然丰度水平量加浓90%或更大之内部同位素水平量；在比对应之较少加浓或未加浓之掺杂剂气体所利用之总能量水平量相对低之该离子源的总能量水平量下操作；及使该加浓之掺杂剂气体离子化以产生且维持如同使用该对应之较少加浓或未加浓之掺杂剂气体在该流速下所制造之束流。