| 主权项 |
一种半导体晶片中的金属-氧化物-金属(MOM)电容器，包括：在侧向邻近电晶体区域之MOM电容器区域内之第一多个电容器极板以及第二多个电容器极板，所述第一多个电容器极板以及第二多个电容器极板共用平行于所述半导体晶片的第一金属化层的平面并且位于其下方的平面；在所述第一多个电容器极板与所述第二多个电容器极板之间的局部层间电介质；以及所述第一和第二多个电容器极板由用于连接位于所述第一金属化层下方的器件层中形成的器件的局部互连金属构成，其中所述第一多个电容器极板以及第二多个电容器极板并未与所述电晶体区域重叠，而且所述第一多个电容器极板以及第二多个电容器极板系与局部互连金属体形成于相同层，所述局部互连金属体提供到所述电晶体区域的闸极的直接连接，而且至少一电介层被配置于所述多个电容器极板下方，以及所述局部层间电介质与所述闸极所在的电介层之间。
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