发明名称 薄膜电晶体阵列基板之制造方法与设备
摘要
申请公布号 TWI487032 申请公布日期 2015.06.01
申请号 TW098126000 申请日期 2009.07.31
申请人 无限股份有限公司 发明人 李亨燮
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人 许世正 台北市信义区忠孝东路5段412号4楼
主权项 一种薄膜电晶体阵列基板之制造方法,系包含以下步骤:形成一闸极材料于一基板之一全部表面之上;图案化该闸极材料用以形成一具有一闸极线、一闸极图案以及一闸极垫电极图案之闸极图案;形成一闸极绝缘层于具有该闸极图案之该基板之该全部表面之上;形成一具有一半导体层及一欧姆接触层之半导体材料于该闸极绝缘层之上;图案化该半导体层及该欧姆接触层用以形成一具有一半导体层图案及一欧姆接触层图案之半导体图案于该闸极图案之上;形成一资料材料于具有该半导体图案之该基板之该全部表面之上;图案化该资料材料用以形成源极及汲极图案,该源极及汲极图案彼此具有一预定之间隔且位于该资料线、该资料垫电极以及该欧姆接触层图案之上;去除该源极图案与该汲极图案之间暴露之该欧姆接触层;以及形成一钝化层于该基板之该全部表面之上,其中该基板之该全部表面已经去除该源极图案与该汲极图案之间暴露的该 欧姆接触层,其中去除该欧姆接触层图案、图案化该闸极材料、图案化该半导体层及该欧姆接触层、以及图案化该资料材料的该等步骤中至少一个包含使用一雷射束的一第一雷射划线制程,其中去除该欧姆接触层图案包含使用能量逐渐减少之一第三雷射束重复照射该欧姆接触层图案执行,其中该第三雷射束自至少一个第三雷射束照射装置中发射。
地址 南韩