含硼与碳材料的沈积;DEPOSITION OF BORON AND CARBON CONTAINING MATERIALS

摘要

本发明提供沈积含硼与碳膜的方法。在一些实施例中，提供沈积具有诸如共形性及蚀刻速率之所需性质之B,C膜的方法。可在低于约400℃之温度下于基板上分解一或多种含硼及/或碳前驱体。在一些实施例中，提供沈积包括B与C的氮化矽膜之方法。可藉由包含形成SiN之ALD循环及向生长膜提供B与C之CVD循环的沈积制程来沈积氮化矽膜。